| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI2302CDS-T1-E3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Vishay Siliconix | 1162 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
|
|
SI2302CDS-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 20V SOT-23 包装数量：1 包装形式： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：710mW 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： Card EdgeESA36DTAD-S664 模块 - 带磁性元C850-2C2R-54 DC DC ConVE-26Y-EV-F3 圆形 - 外壳MS3476W12-10SX-LC PMIC - 稳压LX8117A-28CST 谐振器AWSCR-50.00CV-T 电源输入 - 模块F2199CA01 嵌入式 - 微控制EFM32TG822F8 DC DC ConCP3020-7R DIPA6ER-5104 |
|||||